cmos集成电路设计第三章答案（模拟cmos集成电路设计第三章答案手抄版）

求电子电路基础试题,越简单越好。

1、（1）先求开路电压、短路电流，等效电阻就等于开路电压除以短路电流。但此题求出R=0/0。此法不行。（2）加压求流。外加一个电压源Us，求出通过电压源的电流I，两者相除，就是等效电阻。

2、CMOS门电路中不用的输入端不允许 。CMOS电路中通过大电阻输入端接地，相当于接 ；而通过电阻接Vdd，相当于接 。TTL与非门是 极型集成电路，由 组成，电路工作在 状态。

3、串并联的区分，首先初中时就是常识：首尾相接，两个元件不形成闭合回路，就是串联；首首相接、尾尾相接，两个元件就形成了闭合回路，这是并联。

求解CMOS集成电路的问题如图,谢谢。

Φ=0，出1，Φ=A=B=1出“0”其余状态高阻态。

不是非门，是缓冲器，输入有个气泡，意思是采用负逻辑输入。你就当啥都没有不就完了么 挣你10分就这么难？那是缓冲门，意思是输入为1，输出为1；输入为0，输出为0，也就是说输出等于输入。

该电路完成两个功能：一是分辨出选手按键的先后，并锁存优先抢答者的编号，同时译码显示电路显示编号；二是禁止其他选手按键操作无效。

所以悬空时很容易受周围信号的干扰。静态功耗低，每门功耗为纳瓦级；逻辑摆幅大，近似等于电源电压。抗干扰能力强，直流噪声容限达逻辑摆幅的35%左右。

电源问题 （1） CMOS集成电路的工作电压一般在3－18V，但当应用电路中有门电路的模拟应用（如脉冲振荡、线性放大）时，最低电压则不应低于4．5V。

CMOS是互补金属氧化物半导化的缩写。本意是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片。其实，在这里是指主板上一块可读写的存储芯片。它存储了微机系统的时钟信息和硬件配置信息等，共计128个字节。

求Razavi模拟cmos集成电路设计课后习题的答案!!!

可以理解为负载为无穷大时的增益，即由MOS本身参数生成的增益，比如简单共源极情况下，本征增益大小为gm*ro，ro为MOS本身的等效电阻。

这样你将电路拆成两个一样的电路，只是上面的Rd要并联起来变成Rd/2，这样一个电路变成了变边等效电路，这样很容易求出来共模增益。请你参考razavi的《模拟CMOS集成电路设计》教材的中文翻译版第99页，这里讲得非常清楚。

三本书后，基本上你算入门了，可以跟大牛做项目了，然后多看IEEE的资料，(基准源，运放，比较器)是要继续训练的，(有位大侠谈过了，看帖子，模拟电路的四重境界--文章结尾有)。

《模拟CMOS集成电路设计》由浅入深，理论与实际结合，提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。

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